专业FIB(聚焦离子束)测试服务
广州德恺检测有限公司利用FIB聚焦离子束技术，提供纳米级微观截面制样、芯片线路修改(FIB Edit)、缺陷靶向剖析及TEM超薄切片服务，助力半导体失效追因与逆向工程。 具体检测项目、适用标准和报告用途将在委托前确认。
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核心检测项目
| FIB线路修改与微加工 | |||
|---|---|---|---|
| 芯片线路切断(Cut) | 金属沉积连线(Deposition) | 器件内部探针引出 | 修复设计逻辑错误 |
| 微纳米结构加工 | 光子晶体刻蚀 | MEMS器件微加工 | 微流控通道制作 |
| 截面分析与TEM制样 | |||
|---|---|---|---|
| 指定位置精密切片 | 多层膜厚度与结构测量 | 焊点界面微观剖析 | TSV盲孔/通孔分析 |
| TEM超薄切片制样 | 特定缺陷靶向提取 | 晶界与相界结构提取 | 纳米级异物精准定位 |
| 失效定位与机理分析 | |||
|---|---|---|---|
| 漏电/短路点物理破坏验证 | 晶体管栅极击穿定位 | 电迁移(EM)空洞观察 | ESD静电击穿形貌 |
| 芯片封装开裂溯源 | 钝化层开裂机理 | 金属互连层断裂分析 | 深层隐蔽缺陷暴露 |
服务范围
芯片全流程验证服务
存储与逻辑器件测试
功率器件专项评估
射频与高速接口能力
车规电子导入支撑
工业控制场景适配
封装与模组协同验证
失效定位与整改闭环
量产放行质量评估
验收与投标报告支撑
研发质量团队联合服务
多节点项目交付管理
应用场景
芯片线路修改
截面形貌分析
局部TEM制样
晶粒结构分析
微纳米加工
缺陷定点剖析
失效分析(FA)
封装结构透视
焊点界面分析
多层膜厚测量
异物靶向切片
微区深度分析
核心优势
服务交付优势
按委托需求确认检测项目、报告用途与交付条件
纳米级精确定位切片，完美暴露隐蔽缺陷与深层结构
结合SEM/EDS同步成像与成分分析，提供完整的微观证据链
资深专家操作，满足高难度芯片改线与极薄TEM制样需求
按研发除错、客诉失效追因及工艺验证场景输出定制化方案
客户常见风险与痛点
芯片设计流片后发现逻辑错误，重新流片成本高周期长
常规切片方法精度低，无法精准切到纳米级隐蔽缺陷位置
多层薄膜或极细金属互连层断裂，缺乏高分辨率的截面证据
半导体先进制程中，TEM超薄切片制样难度极大且易损坏样品
焊点界面或盲孔内部的微观形貌及成分分布难以直接观测
芯片改线
精密切片
TEM制样
缺陷定位
FIB(聚焦离子束)测试服务流程
需求确认与图纸评估
样品送达与前处理
FIB精确定位与离子刻蚀
截面SEM观察与EDS分析
数据复核与缺陷特征提取
报告交付与专家答疑
部分执行标准
GB/T 33834 微束分析 聚焦离子束
GB/T 35099 微束分析 术语
企业FIB操作规范
客户定制切片要求
JEDEC微电子标准
行业失效分析规范
ASTM E1558 FIB截面制样
ISO 22493 扫描电镜
芯片逆向分析规范
集成电路FA指南
电子元器件测试标准
半导体制造企业规范
常见问题
FIB切片和常规机械切片有什么区别？
常规机械切片精度在微米级，易产生应力损伤；FIB切片利用离子束刻蚀，精度可达纳米级，能精准切到特定位置且截面极其平整，适合半导体先进制程分析。
芯片线路修改(FIB Edit)需要提供什么资料？
通常需要提供芯片版版图(GDS文件)、电路原理图、封装引脚定义以及明确的改线需求（如切断哪根线、连接哪两个节点），以便工程师精准定位。
可以结合成分分析吗？
可以，我们的FIB双束系统集成了SEM和EDS，在离子束切出截面后，可立即使用电子束进行高分辨形貌观察及微区元素成分分析。
TEM制样大概能切到多薄？
凭借资深工程师的经验，FIB制备的TEM薄片厚度通常可控制在50纳米至100纳米以下，满足高分辨透射电镜的观测要求。
立即获取FIB(聚焦离子束)测试方案
请提交产品/项目名称、应用场景、目标用途（投标/验收/入网/量产/整改）及联系方式。工程师将在工作时间优先对接并提供可执行测试方案与报价口径。
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